买卖IC网 >> 产品目录 >> IHW30N135R3FKSA1 IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IHW30N135R3FKSA1

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
IHW30N135R3FKSA1 PDF下载
制造商 Infineon Technologies
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO 1.35 kV
集电极—射极饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 175 W
最大工作温度
封装 / 箱体 TO-247-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IHW30N135R3FKSA1
IHW30N160R2
IHW30N160R2H30R1602
IHW30N60T
IHW30N90R
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  • IHW30N135R3FKSA1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价